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SiC晶片的芯片化用傳統工藝難以實現。

SiC（碳化硅）是地球上硬度第3的化合物。新莫氏硬度為13，比SiC還硬的只有金剛石（新莫氏硬度15）和碳化硼（新莫氏硬度14）。正因為SiC晶片具有堅硬的電路板，采用劃線工藝時會有切削速度慢、生產率低且崩裂過大的問題，如果采用激光工藝，則會有碎片，或者設備本身價格過高且光源穩(wěn)定性不能保證的問題。

從設備開發(fā)階段出發(fā)，如果要穩(wěn)定地進行實現批量生產活躍動向的SiC電路板的芯片化，必須要解決這些問題。

劃線工藝要解決這個難題。

使用TECDIA獨創(chuàng)的研磨技術進行劃線工具（刀具）的開發(fā)。同時，結合已開發(fā)的劃線工具（刀具）,還可對劃線工具進行優(yōu)化設置，成功實現SiC晶片的芯片化。如引入本技術，可實現高品質及高生產率的SiC晶片的芯片化。

*"劃線設備"與"劃線工具（刀具）"配套系列，只有專注于技術開發(fā)的TECDIA才能實現的技術。

以客戶的"目標"為目標，發(fā)揮TECDIA產品的定制能力。

除了按照客戶提供的樣品進行芯片化之外，認真咨詢客戶"您希望得到什么樣的結果"，聽取更細致的要求，然后應用TECDIA已有技術的定制能力，這是關鍵。

本技術與激光工藝，砂輪式工藝相比，實現了高品質作業(yè)，提高了生產效率。推薦使用SiC晶片的芯片化工序。